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应运而生 顺势开展

来源:leyu体育官方APP下载 作者:leyu体育官网入口 发表时间:2023-04-24 16:15:34

  在风景秀丽的北京元大都遗址公园北侧,一座挺立的现代化修建悄然矗立,金黄色的魏碑体大字将单位的称号赫然镌刻在园区大门一侧的围墙上。本年,是我国科学院微电子研讨所建所50周年。在阅历了若干个从无到有、从小到大的生长进程之后,几代创业者汗水灌溉的作业逐步凝集成一种对国家、对公民的庄重许诺:在国家需求中诞生,为共和国的明日而奉献!

  很多材料标明,这个单位的诞生、生长,与共和国科技作业的开展有着某种必定的前史机缘。

  上世纪40时代末,世界上半导体学科开端鼓起,并逐步开展成为一个完好的电子工业体系。我国于1956年拟定的国家十二年科学技能开展规划将半导体学科列入其间。

  我国科学院运用物理所紧跟世界前沿技能和国家科技开展方针,于当年开端着手研制半导体高频晶体管。处于建国初期的新我国严峻短少技能储备,在王守武、王守觉和林兰英等专家的直接辅导、参与下,于1958年研宣布百兆的高频合金分散晶体管。这项突破性的科研效果,填补了国内没有半导体晶体管的空白,为研制晶体管计算机整机奠定了根底。

  1958年,党中心和国务院作出了研制“两弹一星”和半导体晶体管计算机的严峻战略决策。并将此项使命交给了国内仅有具有该项技能的我国科学院运用物理所。1958年8月,为研制109计算机,我国第一个半导体器材出产厂树立,命名为109厂,作为电子计算机、电子配备等体系半导体器材和集成电路研宣布产中试厂。109厂在其树立、开展的进程中,承当了很多要点使命,研宣布产的半导体器材和集成电路,广泛运用于我国大型计算机和各类电子设备中。全厂干部员工团结一心、艰苦奋斗、勤于学习、勇于探索,霸占了许多技能难关,填补了许多空白,为共和国的半导体作业打下了坚实的根底。

  109厂建厂初期,半导体专业人才匮乏,仅有从美国归来的王守武、林兰英和国内的王守觉等几名专家和极少数科技主干,更没有出产半导体晶体管的技能工人。针对此种情况,我国科学院一方面向提出申请,调来一批部队复员转业军人,作为工厂的主干部队;另一方面,将从当地接收的一批初中高中毕业生送到在北京西苑新兴办的科技校园,进行短期培训。以这两部分人员为根底,组成成近200人的109厂。从建厂到1960年10月,仅用了两年时刻,就圆满完结使命,共研宣布产了合格的锗二极管、三极管计12个种类、14.5万多只,为“109乙”机进行拼装调试供给了重要确保,为新我国第一台锗晶体管计算机“109乙”机的研制成功作出了重要奉献。

  1959年,中心首长、贺龙、陈赓、张爱萍等先后两次观察109厂。109厂的首要工程技能负责人遭到其时副主席、国防部长彭德怀元帅的亲热接见,并一同合影留念。我国科学院院长郭沫若欣赏说:“有了109(厂),我国就(开端)有半导体作业了。”的关心和院领导的必定,使109厂科技人员和员工深受鼓舞,愈加坚决了出色完结国家使命的决计。

  在阅历了三年天然灾害困难时期之后,1963年,张劲夫副院长来厂检查作业,决议将109厂的人员编制扩大至600人。当年,109厂从多所高等校园吸收了50余名半导体专业毕业生充沛科技部队。此批科技主干的参与,缓解了工厂人才严峻缺少的情况,强大了技能力气,并且促进工艺技能得到了进步,催生了许多变革和立异,推动了新工艺设备的研制和运用。

  “109乙”机于1965年5月研制成功并经过国家级判定,它是我国第一台自行规划、自行研制的大型通用锗晶体管计算机。作为与计算所的协作效果,该机的研制成功荣获1978年全国科技大会奖及我国科学院严峻科技效果奖。“109丙”机于1967年9月研制成功并经过国家级判定,它是我国第一台硅晶体管计算机。这两种计算机的研制成功,标志着我国计算机作业进入了新的开展阶段。

  上世纪50时代末,我国科学院受国家有关部委的托付,研宣布产专用的微型数字计算机,科学院决议从计算所、物理所、电子所等单位抽调力气组成“156”工程处(后为航天航空工业部771研讨所)。该项使命得到了我国科学院领导的大力支持。1965年8月8日,我国科学院在科学礼堂举行关于“156”工程研制作业和“156”工程后方建造的专题会议,由张劲夫亲身掌管。会议对整个工程进度的要求是:1966年研宣布“156”模型机,1967年完结初样,1968年完结正样,1969年开端批量出产8台。

  在前期准备的根底上,1965年8月,109厂会集安排力气投入这项使命。在4个多月的接连奋战后,1965年12月28日,109厂提前完结了第一台模型机所需的集成电路和晶体管芯片等使命,向“156”工程处供给了10个种类混合电路1000多块、硅晶体管管芯2000多个。

  1966年8月,我国第一台自行规划、用于空间技能的集成电路计算机研制成功,国庆节前向国务院报喜,得到了周恩来总理的表彰。为了使整机能接受太空环境检测(-45℃~ +85℃温度规划)和储存5年的要求,技能人员做了许多实验,于1967年开端供给整机用电路。到1970年8月,109厂共完结了8台“156”计算机所需的混合单块集成电路3万余块及晶体管芯片4万余个。与此一起,受我国科学院自动化所托付,为541机研制和出产了NPN平面型低频功率开关管、闸流管等器材。

  1967年10月至1975年7月,是109厂完结国家使命最多的阶段,先后为十几个工程使命研宣布产晶体管DTL低速集成电路、TTL中速集成电路、低频引信集成电路、TTL-F系列低功耗电路、STTL-E系列高速集成电路、ECL-D系列超速集成电路等产品,为这些国家要点工程使命的顺利完结作出了严峻奉献。

  1975年8月,国务院下达了“757”工程使命。“757”工程是每秒运算千万次的大型向量计算机体系。我国科学院计算所承当计算机体系的规划研制及有关课题的研讨作业,109厂首要承当“757”工程主机运控部分及外部设备所需的超高速ECL-D系列和高速STTL-E数字逻辑集成电路的研宣布产使命。在“757”工程的攻关中,109厂树立了一套安稳而老练的制作超高速集成电路工艺技能。到1980年末,为“757”计算机研宣布产了30多个种类、共30余万块ECL和TTL集成电路。ECL-D系列超高速数字逻辑集成电路1978年获全国科学大会奖和我国科学院严峻科研效果奖。

  为习惯出产的要求,有必要不断对集成电路的研宣布产设备进行改造完善,以推动职业的技能进步。1966年,109厂与上海光学仪器厂协作,研制成功我国第一台65型触摸式光刻机,由上海无线电专用设备厂进行出产并向全国推行,该机于1978年荣获我国科学院严峻科技效果奖。同年,109厂与上海无线厂协作,在国内首要研制成功超声波铝丝压焊机,由上海无线厂抽调人员树立了上海超声波仪器厂出产该机器供给全国。1969年,109厂曾与丹东精细仪器厂协作,研制成功全自动步进重复照相机,套刻精度达3微米,后由北京700厂批量出产,供给全国运用。

  1973年,109厂与北京修建材料规划院、安徽蚌埠净化设备厂联合研制成功一套(共12种)洁净度达100级的半导体集成电路出产线专用部分空气净化设备,1974年投入运用。这是我国第一台用于半导体器材出产的专用净化设备,在国内没有大面积净化厂房的时代,这套设备对我国半导体作业的开展起到了巨大作用。该设备于1978年荣获全国科学大会奖和我国科学院严峻科技效果奖。

  从上世纪50时代到80时代,109厂为上海元件五厂、山东济南半导体厂、陕西西安“324”工程、“156”工程、河南新乡713厂、北京半导体器材厂、锦州半导体厂、重庆外表四厂、湖北襄樊市半导体厂等单位培育、输送了大批优秀人才,有效地推动了国内相关工业的开展。

  上世纪80时代中叶,我国国内现已确立了变革开放、国民经济开展三步走的战略方针,进入从计划经济向社会主义市场经济改变的前史阶段。抓住机会,深化变革,从旧有体系中锋芒毕露,促进国民经济的快速开展,成为国立研讨、运用组织的必定选择。

  1985年12月,经我国科学院决议,并报国家科委批复,109厂与半导体所、计算所等研制大规划集成电路部分有关单位兼并,树立我国科学院微电子中心。

  微电子中心树立以来,长时间面向国家微电子范畴持续开展的严峻科技需求,进行微电子学、超纤细和超薄技能、计算机辅佐集成电路规划研讨;承当和完结了多项国家要点项目,取得国家、我国科学院和其他部级效果数十项;成为微电子科技范畴一个不行代替的科研基地和常识、技能立异的重要源头,为我国微电子及相关工业的持续开展作出了应有的奉献。其间,中心依据我国科学院布置,进行斗胆变革,使科研、出产体系逐步改变,使单位焕发了重生。

  1992年1月18日~2月21日,在观察武昌、深圳、珠海、上海等地时,宣布闻名的“南边说话”,把我国的变革开放和现代化建造推动到新的阶段。我国天然科学技能的开展面对巨大的前史机会和应战。我国科学院于1992年6月20日,向国务院报送《关于我国科学院进行归纳配套变革的汇报提纲》,国务院于1993年2月15日正式赞同该计划,科学院的变革从单项变革推动到了归纳配套、全面体系变革的新阶段。

  在这种前史背景下,微电子中心在吴德馨主任和党政领导班子的带领下,决议进一步深化办理变革,1992年8月,经过了微电子中心办理变革计划,10月,中科院研讨所变革试点领导小组对变革计划批复赞同施行,并指出:“对你们充沛认识到加快变革脚步的必要性与迫切性,自动站在变革的前列的精力表示支持。”并期望微电子中心在变革进程中“解放思想,斗胆变革,勇于立异”。

  此次办理变革的首要办法是:施行内部技能和经济方针责任制,进行成本核算,变革内部分配制度,调整理顺运行机制,优化部队结构;健全公平竞争的聘任制;树立高效率科研、出产的办理体系。

  经过几年的变革,微电子中心全面和部分超额完结了各项“八五”科技攻关使命,承当国家和科学院攻关使命共42项,获科研效果奖31项,其间国家严峻技能配备一等奖1项(参与单位),院科技进步二等奖4项,三等奖5项;产品开发与出产全面获利,经济效益逐年上升;基本建造和技能改造取得新效果。

  办理变革取得的巨大成功使微电子中心归纳实力明显增强,精力面貌面目一新,对我国微电子研讨、开发和出产等方面都作出了应有的奉献,也为中心成为第一批进入常识立异工程试点单位打下了坚实根底。1999年7月16日,中科院发文《关于微电子中心常识立异工程试点计划的批复》,赞同微电子中心第一批进入常识立异工程试点单位。从此,微电子中心正式发动常识立异试点一期工程。

  依照我国科学院对常识立异工程的整体要求,微电子中心对科研项目布局进行了调整并再次施行了机关办理组织的变革,在服务组织转制、人员分流等方面做了很多的作业。

  尔后的几年中,作为我国科学院常识立异工程的试点单位,微电子中心依据国家和职业开展的需求再次对研讨方向进行了凝练,首要在以下七个方面取得了开展:一是深亚微米集成电路要害工艺技能,经过试点研讨,构成一组具有自主常识产权并规范化的新工艺模块。如金属硅化物,薄栅氧化等干流工艺模块,为国家急需的高级专用集成电路开发服务。二是特种SOI/CMOS集成电路技能。该项目使用研讨成功的特种集成电路规划与制作技能,研宣布一批特种专用集成电路,满意了国内多方面的需求。三是依据“IP”库的专用集成电路规划,经过该项意图研讨,建成依据0.5/0.35m IC工艺的IP库,把握依据“IP”库的ASIC规划办法,面向用户,规划开宣布通讯、计算机外设及家电等范畴内急需的十万到百万门规划的专用集成电路,在规划周期上完成了与世界接轨。四是高性能专用集成电路规划。经过该项意图施行,研讨成功高性能IC规划办法及单元库,并依据用户需求,规划开发高性能DSP芯片及其他 专用IC芯片。五是深亚微米微细加工技能。该项目研讨成功成套亚50nm的微细加工技能,并成功运用到纳米标准CMOS器材、新结构化合物半导体器材、毫米波器材及声表面波器材的研制。研讨效果取得国家发明奖二等奖和北京市科技进步奖一、二等奖,对进步我国top-down 纳米加工的世界影响力有重要意义,一起对构建我国自主常识产权纳米加工专利库奠定了良好根底。六是化合物半导体器材与电路。该项目使用研制成功的光通信誉化合物半导体器材与要害功用集成部件,为光纤通信和无线通信工业的开展作出了奉献。七是微电子新设备和新技能的研讨,推行“八五”和“九五”国家要点科技攻关有关深亚微米刻蚀技能的效果并坚持自主立异之路,不断研制先进的等离子体微细加工(ICP / PECVD / SPUTTER等)新设备和新技能,为我国半导体与集成电路的科研出产服务。

  1993年,中心政治局委员、国务院副总理在我国科学院院长周光召等领导同志的陪同下,观察了微电子中心,并题词:“艰苦创业效果多,再接再励志气高,科技产销结合紧,开拓前进路益宽。”他勉励微电子中心要发挥科研、出产相结合的优势,进一步面向市场,加快科技效果的转化,为我国的微电子作业作出新的奉献。

产品细节

  在风景秀丽的北京元大都遗址公园北侧,一座挺立的现代化修建悄然矗立,金黄色的魏碑体大字将单位的称号赫然镌刻在园区大门一侧的围墙上。本年,是我国科学院微电子研讨所建所50周年。在阅历了若干个从无到有、从小到大的生长进程之后,几代创业者汗水灌溉的作业逐步凝集成一种对国家、对公民的庄重许诺:在国家需求中诞生,为共和国的明日而奉献!

  很多材料标明,这个单位的诞生、生长,与共和国科技作业的开展有着某种必定的前史机缘。

  上世纪40时代末,世界上半导体学科开端鼓起,并逐步开展成为一个完好的电子工业体系。我国于1956年拟定的国家十二年科学技能开展规划将半导体学科列入其间。

  我国科学院运用物理所紧跟世界前沿技能和国家科技开展方针,于当年开端着手研制半导体高频晶体管。处于建国初期的新我国严峻短少技能储备,在王守武、王守觉和林兰英等专家的直接辅导、参与下,于1958年研宣布百兆的高频合金分散晶体管。这项突破性的科研效果,填补了国内没有半导体晶体管的空白,为研制晶体管计算机整机奠定了根底。

  1958年,党中心和国务院作出了研制“两弹一星”和半导体晶体管计算机的严峻战略决策。并将此项使命交给了国内仅有具有该项技能的我国科学院运用物理所。1958年8月,为研制109计算机,我国第一个半导体器材出产厂树立,命名为109厂,作为电子计算机、电子配备等体系半导体器材和集成电路研宣布产中试厂。109厂在其树立、开展的进程中,承当了很多要点使命,研宣布产的半导体器材和集成电路,广泛运用于我国大型计算机和各类电子设备中。全厂干部员工团结一心、艰苦奋斗、勤于学习、勇于探索,霸占了许多技能难关,填补了许多空白,为共和国的半导体作业打下了坚实的根底。

  109厂建厂初期,半导体专业人才匮乏,仅有从美国归来的王守武、林兰英和国内的王守觉等几名专家和极少数科技主干,更没有出产半导体晶体管的技能工人。针对此种情况,我国科学院一方面向提出申请,调来一批部队复员转业军人,作为工厂的主干部队;另一方面,将从当地接收的一批初中高中毕业生送到在北京西苑新兴办的科技校园,进行短期培训。以这两部分人员为根底,组成成近200人的109厂。从建厂到1960年10月,仅用了两年时刻,就圆满完结使命,共研宣布产了合格的锗二极管、三极管计12个种类、14.5万多只,为“109乙”机进行拼装调试供给了重要确保,为新我国第一台锗晶体管计算机“109乙”机的研制成功作出了重要奉献。

  1959年,中心首长、贺龙、陈赓、张爱萍等先后两次观察109厂。109厂的首要工程技能负责人遭到其时副主席、国防部长彭德怀元帅的亲热接见,并一同合影留念。我国科学院院长郭沫若欣赏说:“有了109(厂),我国就(开端)有半导体作业了。”的关心和院领导的必定,使109厂科技人员和员工深受鼓舞,愈加坚决了出色完结国家使命的决计。

  在阅历了三年天然灾害困难时期之后,1963年,张劲夫副院长来厂检查作业,决议将109厂的人员编制扩大至600人。当年,109厂从多所高等校园吸收了50余名半导体专业毕业生充沛科技部队。此批科技主干的参与,缓解了工厂人才严峻缺少的情况,强大了技能力气,并且促进工艺技能得到了进步,催生了许多变革和立异,推动了新工艺设备的研制和运用。

  “109乙”机于1965年5月研制成功并经过国家级判定,它是我国第一台自行规划、自行研制的大型通用锗晶体管计算机。作为与计算所的协作效果,该机的研制成功荣获1978年全国科技大会奖及我国科学院严峻科技效果奖。“109丙”机于1967年9月研制成功并经过国家级判定,它是我国第一台硅晶体管计算机。这两种计算机的研制成功,标志着我国计算机作业进入了新的开展阶段。

  上世纪50时代末,我国科学院受国家有关部委的托付,研宣布产专用的微型数字计算机,科学院决议从计算所、物理所、电子所等单位抽调力气组成“156”工程处(后为航天航空工业部771研讨所)。该项使命得到了我国科学院领导的大力支持。1965年8月8日,我国科学院在科学礼堂举行关于“156”工程研制作业和“156”工程后方建造的专题会议,由张劲夫亲身掌管。会议对整个工程进度的要求是:1966年研宣布“156”模型机,1967年完结初样,1968年完结正样,1969年开端批量出产8台。

  在前期准备的根底上,1965年8月,109厂会集安排力气投入这项使命。在4个多月的接连奋战后,1965年12月28日,109厂提前完结了第一台模型机所需的集成电路和晶体管芯片等使命,向“156”工程处供给了10个种类混合电路1000多块、硅晶体管管芯2000多个。

  1966年8月,我国第一台自行规划、用于空间技能的集成电路计算机研制成功,国庆节前向国务院报喜,得到了周恩来总理的表彰。为了使整机能接受太空环境检测(-45℃~ +85℃温度规划)和储存5年的要求,技能人员做了许多实验,于1967年开端供给整机用电路。到1970年8月,109厂共完结了8台“156”计算机所需的混合单块集成电路3万余块及晶体管芯片4万余个。与此一起,受我国科学院自动化所托付,为541机研制和出产了NPN平面型低频功率开关管、闸流管等器材。

  1967年10月至1975年7月,是109厂完结国家使命最多的阶段,先后为十几个工程使命研宣布产晶体管DTL低速集成电路、TTL中速集成电路、低频引信集成电路、TTL-F系列低功耗电路、STTL-E系列高速集成电路、ECL-D系列超速集成电路等产品,为这些国家要点工程使命的顺利完结作出了严峻奉献。

  1975年8月,国务院下达了“757”工程使命。“757”工程是每秒运算千万次的大型向量计算机体系。我国科学院计算所承当计算机体系的规划研制及有关课题的研讨作业,109厂首要承当“757”工程主机运控部分及外部设备所需的超高速ECL-D系列和高速STTL-E数字逻辑集成电路的研宣布产使命。在“757”工程的攻关中,109厂树立了一套安稳而老练的制作超高速集成电路工艺技能。到1980年末,为“757”计算机研宣布产了30多个种类、共30余万块ECL和TTL集成电路。ECL-D系列超高速数字逻辑集成电路1978年获全国科学大会奖和我国科学院严峻科研效果奖。

  为习惯出产的要求,有必要不断对集成电路的研宣布产设备进行改造完善,以推动职业的技能进步。1966年,109厂与上海光学仪器厂协作,研制成功我国第一台65型触摸式光刻机,由上海无线电专用设备厂进行出产并向全国推行,该机于1978年荣获我国科学院严峻科技效果奖。同年,109厂与上海无线厂协作,在国内首要研制成功超声波铝丝压焊机,由上海无线厂抽调人员树立了上海超声波仪器厂出产该机器供给全国。1969年,109厂曾与丹东精细仪器厂协作,研制成功全自动步进重复照相机,套刻精度达3微米,后由北京700厂批量出产,供给全国运用。

  1973年,109厂与北京修建材料规划院、安徽蚌埠净化设备厂联合研制成功一套(共12种)洁净度达100级的半导体集成电路出产线专用部分空气净化设备,1974年投入运用。这是我国第一台用于半导体器材出产的专用净化设备,在国内没有大面积净化厂房的时代,这套设备对我国半导体作业的开展起到了巨大作用。该设备于1978年荣获全国科学大会奖和我国科学院严峻科技效果奖。

  从上世纪50时代到80时代,109厂为上海元件五厂、山东济南半导体厂、陕西西安“324”工程、“156”工程、河南新乡713厂、北京半导体器材厂、锦州半导体厂、重庆外表四厂、湖北襄樊市半导体厂等单位培育、输送了大批优秀人才,有效地推动了国内相关工业的开展。

  上世纪80时代中叶,我国国内现已确立了变革开放、国民经济开展三步走的战略方针,进入从计划经济向社会主义市场经济改变的前史阶段。抓住机会,深化变革,从旧有体系中锋芒毕露,促进国民经济的快速开展,成为国立研讨、运用组织的必定选择。

  1985年12月,经我国科学院决议,并报国家科委批复,109厂与半导体所、计算所等研制大规划集成电路部分有关单位兼并,树立我国科学院微电子中心。

  微电子中心树立以来,长时间面向国家微电子范畴持续开展的严峻科技需求,进行微电子学、超纤细和超薄技能、计算机辅佐集成电路规划研讨;承当和完结了多项国家要点项目,取得国家、我国科学院和其他部级效果数十项;成为微电子科技范畴一个不行代替的科研基地和常识、技能立异的重要源头,为我国微电子及相关工业的持续开展作出了应有的奉献。其间,中心依据我国科学院布置,进行斗胆变革,使科研、出产体系逐步改变,使单位焕发了重生。

  1992年1月18日~2月21日,在观察武昌、深圳、珠海、上海等地时,宣布闻名的“南边说话”,把我国的变革开放和现代化建造推动到新的阶段。我国天然科学技能的开展面对巨大的前史机会和应战。我国科学院于1992年6月20日,向国务院报送《关于我国科学院进行归纳配套变革的汇报提纲》,国务院于1993年2月15日正式赞同该计划,科学院的变革从单项变革推动到了归纳配套、全面体系变革的新阶段。

  在这种前史背景下,微电子中心在吴德馨主任和党政领导班子的带领下,决议进一步深化办理变革,1992年8月,经过了微电子中心办理变革计划,10月,中科院研讨所变革试点领导小组对变革计划批复赞同施行,并指出:“对你们充沛认识到加快变革脚步的必要性与迫切性,自动站在变革的前列的精力表示支持。”并期望微电子中心在变革进程中“解放思想,斗胆变革,勇于立异”。

  此次办理变革的首要办法是:施行内部技能和经济方针责任制,进行成本核算,变革内部分配制度,调整理顺运行机制,优化部队结构;健全公平竞争的聘任制;树立高效率科研、出产的办理体系。

  经过几年的变革,微电子中心全面和部分超额完结了各项“八五”科技攻关使命,承当国家和科学院攻关使命共42项,获科研效果奖31项,其间国家严峻技能配备一等奖1项(参与单位),院科技进步二等奖4项,三等奖5项;产品开发与出产全面获利,经济效益逐年上升;基本建造和技能改造取得新效果。

  办理变革取得的巨大成功使微电子中心归纳实力明显增强,精力面貌面目一新,对我国微电子研讨、开发和出产等方面都作出了应有的奉献,也为中心成为第一批进入常识立异工程试点单位打下了坚实根底。1999年7月16日,中科院发文《关于微电子中心常识立异工程试点计划的批复》,赞同微电子中心第一批进入常识立异工程试点单位。从此,微电子中心正式发动常识立异试点一期工程。

  依照我国科学院对常识立异工程的整体要求,微电子中心对科研项目布局进行了调整并再次施行了机关办理组织的变革,在服务组织转制、人员分流等方面做了很多的作业。

  尔后的几年中,作为我国科学院常识立异工程的试点单位,微电子中心依据国家和职业开展的需求再次对研讨方向进行了凝练,首要在以下七个方面取得了开展:一是深亚微米集成电路要害工艺技能,经过试点研讨,构成一组具有自主常识产权并规范化的新工艺模块。如金属硅化物,薄栅氧化等干流工艺模块,为国家急需的高级专用集成电路开发服务。二是特种SOI/CMOS集成电路技能。该项目使用研讨成功的特种集成电路规划与制作技能,研宣布一批特种专用集成电路,满意了国内多方面的需求。三是依据“IP”库的专用集成电路规划,经过该项意图研讨,建成依据0.5/0.35m IC工艺的IP库,把握依据“IP”库的ASIC规划办法,面向用户,规划开宣布通讯、计算机外设及家电等范畴内急需的十万到百万门规划的专用集成电路,在规划周期上完成了与世界接轨。四是高性能专用集成电路规划。经过该项意图施行,研讨成功高性能IC规划办法及单元库,并依据用户需求,规划开发高性能DSP芯片及其他 专用IC芯片。五是深亚微米微细加工技能。该项目研讨成功成套亚50nm的微细加工技能,并成功运用到纳米标准CMOS器材、新结构化合物半导体器材、毫米波器材及声表面波器材的研制。研讨效果取得国家发明奖二等奖和北京市科技进步奖一、二等奖,对进步我国top-down 纳米加工的世界影响力有重要意义,一起对构建我国自主常识产权纳米加工专利库奠定了良好根底。六是化合物半导体器材与电路。该项目使用研制成功的光通信誉化合物半导体器材与要害功用集成部件,为光纤通信和无线通信工业的开展作出了奉献。七是微电子新设备和新技能的研讨,推行“八五”和“九五”国家要点科技攻关有关深亚微米刻蚀技能的效果并坚持自主立异之路,不断研制先进的等离子体微细加工(ICP / PECVD / SPUTTER等)新设备和新技能,为我国半导体与集成电路的科研出产服务。

  1993年,中心政治局委员、国务院副总理在我国科学院院长周光召等领导同志的陪同下,观察了微电子中心,并题词:“艰苦创业效果多,再接再励志气高,科技产销结合紧,开拓前进路益宽。”他勉励微电子中心要发挥科研、出产相结合的优势,进一步面向市场,加快科技效果的转化,为我国的微电子作业作出新的奉献。

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